AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究

摘要：

采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪( Raman)、扫描电子显微镜( SEM)和光致发光( PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明：所制备的AlN微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于VN 和(VAl-ON)2-构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,AlN微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱,在激发波长为285 nm时强度最大；650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。

关键词：AlN微晶棒、直接氮化法、光致发光、缺陷发光

所属期刊栏目：37

分类号：O471.4;O482.31(半导体物理学)

资助基金：沈阳市科技局应用基础研究专项F16-205-1-16;辽宁省激光与光信息技术重点实验室开放课题5H1004

在线出版日期：2016-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：927-931