基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化

摘要：

利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素.结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍.进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚度和表面光子晶体结构进行优化,优化的光萃取效率分别达到35.3％和24.7％,比优化前各提高了37.9％和280％.因此,合理的外延层和光子晶体结构可有效提高近紫外垂直结构LED的光萃取效率,这对实验制备高效近紫外垂直结构LED芯片具有一定的指导作用.

关键词：发光二极管、光萃取效率、近紫外、光子晶体、谐振腔效应

所属期刊栏目：37

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：“863”国家高技术发展研究计划2014AA032609;国家自然科学基金61404050,61504044;广东省战略性新兴产业专项资金2012A080302003;广东省重大科技专项2014B010119002

在线出版日期：2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：836-844