中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响
利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的影响.利用芯片测试仪和原子力显微镜(AFM)表征了GaN基蓝光LED外延片的光电性能以及表面形貌.当中高温GaN插入层厚度从60 nm增加至100 nm时,V形坑尺寸从70～110 nm增加至110 ～ 150 nm.当注入电流为20 mA时,LED芯片的光功率从21.9 mW增加至24.1mW;当注入电流为120 mA时,LED芯片的光功率从72.4 mW增加至82.4 mW.对V形坑尺寸调控LED光电性能的相关物理机制进行了分析,结果表明:增大V形坑尺寸有利于增加空穴注入面积和注入效率,进而提高LED器件的光功率.
氮化镓、LED、V形坑、空穴注入效率
37
TN383+.1;TN364+.2(半导体技术)
国家自然科学基金21471111,61475110,61404089,61504090;山西省基础研究项目2014011016-6,2014021019-1,2015021103;电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题KFJJ201406;山西省科技创新重点团队项目2012041011;山西省高等学校科技创新项目2015131;浙江省重点科技创新团队2011R50012;浙江省重点实验室项目2013E10022
2016-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
829-835
