电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

摘要：

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验，通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系，并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明：暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数，电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势；暗场像素灰度值整体抬升，像元之间的差异显著增加；电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性，器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为，剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。

关键词：电荷耦合器件、暗信号、低剂量率损伤增强效应、暗场像素统计

所属期刊栏目：37

分类号：TP212.14;TN386.5(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金11005152;中国科学院“西部之光”人才培养计划重点项目“CCD的空间位移损伤效应及评估技术研究”资助

在线出版日期：2016-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：711-719