大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管

摘要：

为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs／AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6 A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29 mW,中心波长为880 nm,光谱半高宽为20.3 nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6 A脉冲电流注入下,湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7 mW。与湿法腐蚀相比,干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数,降低波导损耗,有效增大器件输出功率。

关键词：超辐射发光管、自组织量子点、干法刻蚀

所属期刊栏目：37

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61274072,61306087;“863”国家高技术研究发展计划2013AA014201

在线出版日期：2016-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：706-710