不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池

摘要：

为了研究不同量子阱周期数下GaInAs／GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律，利用金属有机化学气相沉积技术( MOCVD)制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱双结结构的参考样品，利用高分辨率X射线衍射仪( HXRD)和高分辨率透射电镜( TEM)测试了样品的晶体质量，同时在AM0(1×)光谱条件下测试了样品的I-V特性曲线和相应子电池的外量子效率。最终得到了高晶体质量、吸收截止波长在954 nm的Ga0.89 In0.11 As／GaAs0.92 P0.08多量子阱结构，扩展波段的外量子效率最高达到75.18%，电池光电转换效率相对于无量子阱结构提升2.77%。通过对比测试结果发现，随着量子阱结构周期数的增加，太阳能电池在扩展波段(890~954 nm)的外量子效率不断提高，常规波段的短波响应(300~700 nm)会出现下降，长波响应(700~890 nm)会出现上升，短路电流和转换效率相应提升并趋于饱和。

关键词：GaInAs/GaAsP、量子阱、外量子效率、太阳能电池

所属期刊栏目：37

分类号：O472+.8(半导体物理学)

资助基金：北京市委组织部优秀人才培养计划2012D005015000005;北京市教委项目KM201110005017

在线出版日期：2016-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：701-705