In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究

摘要：

为了优化InGaN太阳能电池结构并有效地指导实际电池的制备,研究了n-i-p( p层在下) In组分梯度渐变结构的InGaN太阳能电池的性能特征。通过APSYS软件模拟计算,对比采用p-i-n渐变结构( p层在上)和n-i-p渐变结构( p层在下)的InGaN太阳能电池的器件性能。结果表明,采用n-i-p渐变结构的InGaN电池,i-InGaN层在低In组分下没有明显的优势,而在高In组分下的器件性能较好。在In组分为0.62时,转换效率最高达到8.48%。分析表明,p层在下的n-i-p渐变结构使得InGaN电池的极化电场与耗尽区的内建电场方向一致,有利于载流子的输运。采用n-i-p渐变结构有利于制备高性能的InGaN太阳能电池。

关键词：InGaN、太阳能电池、n-i-p结构

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分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61306108;教育部留学回国人员科研启动基金2013693

在线出版日期：2016-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：682-687