面向IGZO-TFT-AMOLED像素电路设计的VTH检测方法研究

摘要：

由于迁移率高、均匀性好、制备成本低等优势，铟镓锌氧化物薄膜晶体管( IGZO TFT)有望促成有源矩阵有机发光显示器件( AMOLED)的大规模量产。但是IGZO TFT存在阈值电压( VTH )漂移的问题，实用的AMOLED像素电路必须对VTH漂移进行补偿以实现较好的显示效果，而VTH的检测是AMOLED像素电路设计中的关键环节。本文系统研究了VTH检测方法，比较了放电法、充电法、偏置电流法补偿VTH的效果，研究了VTH检测时间和TFT寄生电容等参数的影响。研究结果表明：放电法不能精确地补偿负VTH漂移，充电法需要的VTH检测时间最长，偏置电流法能够达到的补偿精度最高。

关键词：IGZO、TFT、AMOLED、阈值电压补偿

所属期刊栏目：37

分类号：TN7(基本电子电路)

资助基金：湖南省科技计划2015JC3041

在线出版日期：2016-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：608-615