射频等离子硫钝化GaAs（100）的表面特性

摘要：

采用射频等离子方法,对GaAs(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360℃温度条件下的快速热退火,光致发光( PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30 d,其PL强度未出现明显变化,说明GaAs的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。

关键词：射频等离子体、光致发光、钝化、GaAs

所属期刊栏目：37

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61176048,61177019,61308051;吉林省科技发展计划20150203007GX,20130206016GX;中物院高能激光重点实验室基金2014HEL01

在线出版日期：2016-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：556-560