高Al组分AlGaN多量子阱结构材料发光机制探讨

摘要：

紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意，波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分AlGaN多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光效率的新途径、新方法。为此，本文通过金属有机气相外延技术外延生长了表面平整、界面清晰可辨且陡峭的高Al组分Al-GaN多量子阱结构材料，并对其进行变温光致发光谱测试，结合数值计算，深入探讨了AlGaN量子阱的发光机制。研究表明，量子阱中具有很强的局域化效应，其发光和局域激子的跳跃息息相关，而发光的猝灭则与局域激子的解局域以及位错引起的非辐射复合有关。

关键词：AlGaN、多量子阱结构、深紫外LED、发光机制

所属期刊栏目：37

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：“973”国家重点基础研究发展计划2012CB619300;“863”国家高技术研究发展计划2014AA032608;国家自然科学基金U1405253,61227009,11204254,11404271;福建省自然科学基金2015J01028

在线出版日期：2016-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：513-518