退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

摘要：

非晶铟钨氧( a-IWO)薄膜晶体管( TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。

关键词：非晶铟钨氧、薄膜晶体管、退火温度、氧空位、表面粗糙度

所属期刊栏目：37

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金面上项目61474075;国家自然科学基金重点项目61136004

在线出版日期：2016-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：457-462