GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性
利用金属有机物气相沉积技术(MOCVD)在(0001)蓝宝石衬底上生长了 GaN 基垂直腔面发射激光器( VCSEL)的多量子阱腔层结构。 X射线衍射测量显示该多量子阱具有良好周期结构和平整界面。运用键合及激光剥离技术将该外延片制作成 VCSEL,顶部和底部反射镜为极高反射率的介质膜分布布拉格反射镜(DBR)。在室温、紫外脉冲激光的泵浦条件下,观察到了VCSEL明显的激射现象,峰值波长位于447.7 nm,半高宽为0.11 nm,自发辐射因子约为6.0×10-2,阈值能量密度约为8.8 mJ/cm2。在大幅度降低制作难度的情况下,得到目前国际最好结果同样数量级的激射阈值。降低器件制作难度有利于制备的重复性,有利于器件的产品化。
氮化镓、垂直腔面发射激光器、激光剥离技术、光泵浦、激射
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61307115;福建省教育厅 A 类科技项目JA12249;厦门理工学院高校高层次人才基金YKJ11026R;福建省自然科学基金2013J05104
2016-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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