场板结终端对金刚石SBD内部电场分布及击穿特性的影响

摘要：

建立了场板结终端对金刚石肖特基势垒二极管( SBD)的数值模拟模型，采用Silvaco软件中的器件仿真工具ATLAS模拟了场板长度L、绝缘层厚度TOX、衬底掺杂浓度NB、场板结构形状对器件内部电场分布以及击穿电压的影响，并对结果进行了物理分析和解释。结果表明：当TOX =0.4μm、NB =1015 cm-3、L在0~0.2μm范围内时，击穿电压随着L的增加而增加；L>0.2μm后，击穿电压开始下降。当L=0.2μm、NB =1015 cm-3、TOX在0.1~0.4μm范围内时，击穿电压随着TOX的增加而增加；TOX >0.4μm后，击穿电压开始下降。当L=0.2μm、TOX =0.4μm、NB =1015 cm-3时，器件的击穿电压达到最大的1873 kV。与普通场板结构相比，采用台阶场板可以更加有效地提高器件的击穿电压。

关键词：场板结终端、金刚石SBD、电场分布、击穿电压

所属期刊栏目：37

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：2015年陕西省教育厅专项科研计划15JK1096

在线出版日期：2016-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：432-438