GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究
采用射频( RF)等离子方法,对GaAs样品进行了150 W高功率等离子氮钝化及快速退火处理。经过该方法钝化后的样品,光致发光( PL)强度上升了91%。 XPS分析得出,GaAs样品表面的氮化效果随着氮等离子体功率的增加而逐渐趋于明显。氮化后的样品表面未发现氧化物残余。样品在空气中加热放置30 d, PL强度下降不明显,说明表面钝化层具有良好的稳定性。
等离子、XPS、PL、GaAs
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61176048,61177019,61308051;吉林省科技发展计划20150203007GX,20130206016GX;中物院高能激光重点实验室基金2014HEL01
2016-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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428-431
