氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO：Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响
利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO：Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO：Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气( O2/( Ar+O2)比例为30%)后,NiO：Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO：Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO：Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/( Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。
NiO、Cu掺杂、异质pn结、磁控溅射、整流特性
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O484.4;TB303(固体物理学)
天津职业技术师范大学人才计划RC14-53,RC14-54;天津市高等学校创新团队培养计划TD12-5043;国家自然科学基金51501130,51301181
2016-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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