GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备

摘要：

首先利用电流路径模型分析n型电极尺寸及间距等对垂直结构发光二极管（ VS-LEDs）电流分布均匀性的影响，依此设计出一种螺旋状环形结构电极。其次，通过建立有限元分析软件Comsol仿真模型模拟VS-LEDs有源层的电流密度分布，发现螺旋状环形结构电极的环间距越小，电流密度分布越均匀。最后，利用VS-LEDs芯片制备技术实现具有螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片。实验结果显示，在350 mA电流驱动下，电极环间距为146.25μm的芯片具有最大的功能转换效率，达到26.8%。

关键词：氮化镓、垂直结构发光二极管、电流分布、螺旋状环形结构电极

所属期刊栏目：37

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2014AA032609;国家自然科学基金61404050;广东省战略性新兴产业专项资金2012A080302003;中央高校基本科研业务费2014ZM0036

在线出版日期：2016-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：338-345