量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响

摘要：

在Si衬底上外延生长了3种不同量子垒结构的绿光外延片并制作成垂直结构芯片,3种量子垒结构分别为GaN、In0.05 Ga0.95 N/Al0.1 Ga0.9 N/In0.05 Ga0.95 N、In0.05 Ga0.95 N/GaN/In0.05 Ga0.95 N,对应的3种芯片样品为A、B、C,研究了3种样品的变温电致发光特性。垒结构的改变虽然对光功率影响很小,但是在光谱性能上会引起显著改变,结果如下：在低温（13 K）大电流下,随着电流密度的增大,样品的EL谱峰值波长蓝移更为显著,程度依次为B>A≈C；在高温（300 K）小电流下,随着电流密度的增大,样品EL谱的峰值波长蓝移程度的大小依次为A>B>C。在同一电流下,随着温度的升高,样品在大部分电流下的EL谱峰值波长出现“S”型波长漂移,在极端电流下又表现出不同的漂移情况。这些现象与局域态、应力、压电场、禁带宽度等因素有关。

关键词：垒结构、绿光LED、电致发光、硅衬底、MOCVD

所属期刊栏目：37

分类号：TN383+.1;TB339(半导体技术)

资助基金：国家科技部支撑计划2011BAB32B01

在线出版日期：2016-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：327-331