基于聚合物-量子点共混的量子点发光二极管
在ITO玻璃上制备了ITO/poly（3,4-ethylene dioxythiophene）∶poly（styrene sulphonate）（PEDOT∶PASS）/poly （N,N-bis（4-butylphenyl）-N,N-bis（phenyl）benzidine（poly-TPD）/QD/1,3,5-Tri（1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl） phenyl（TPBi）/LiF/Al结构的量子点发光二极管（QD-LED）。通过优化量子点的浓度,发现浓度为30 mg/mL时的器件性能最优,最大外量子效率（EQE）为0.83%,最大发光亮度为4076 cd/m2。为了进一步提高QD-LED的发光效率,将QD掺入聚合物poly（N-vinylcarbazole）（PVK）和1,3-Bis（5-（4-（tert-butyl）phenyl）-1,3,4-oxadiazol-2-yl）ben-zene （OXD-7）中,以使得注入的电子和空穴更加平衡,同时还有助于能量传递,降低QD团聚及修饰QD薄膜表面,减少激子猝灭效应等。为此,通过旋涂和蒸镀两步法制备ITO/PEDOT∶PASS/poly-TPD/（PVK∶OXD-7）∶QD/TPBi/LiF/Al结构的器件,改变（PVK∶OXD-7）∶QD比例（1∶1,1∶3,1∶5,0∶1）,发现（PVK∶OXD-7）∶QD为1∶3时的QD-LED具有最优性能,最大EQE为1.97%,相当于非掺杂器件的2.3倍,并且发光峰没有发生偏移。
量子点发光二极管、聚合物PVK、掺杂
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O482.31;TN383+.1(固体物理学)
国家自然科学基金61405089;广东省特支计划科技创新青年拔尖人才基金2014TQ01X015;深圳市科创委基础研究基金JCYJ20140417105742713;省部产学研合作专项资金项目计划粤科规财字【2014】211号
2016-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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