多层Ti/Al电极结构对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响

摘要：

研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响.采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描.实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响TiN的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态.

关键词：高电子迁移率晶体管、欧姆接触、退火、比接触电阻率

所属期刊栏目：37

分类号：TN386.3(半导体技术)

资助基金：北京市15青年拔尖项目311000543115501;中山市科技计划2014A2FC305;国家自然科学基金61204011;科研基地建设PXM2015_014204_500008

在线出版日期：2016-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：219-223