垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

摘要：

用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系.结果表明,在860 ～915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升.当垒温超过915℃后,发光效率大幅下降.这一EL特性与X光双晶衍射和二次离子质谱所获得的阱垒界面陡峭程度有明显的对应关系,界面越陡峭则发光效率越高.垒温过高使界面变差的原因归结为阱垒界面的原子扩散.垒温偏低使界面变差的原因归结为垒对前一个量子阱界面的修复作用和为后一个量子阱提供台阶流界面的能力偏弱.外延生长时的最佳垒温范围为895 ～915℃.

关键词：LED、硅衬底、GaN、垒温、外量子效率

所属期刊栏目：37

分类号：O484.4;TN383+.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61334001;863计划2011AA03A101

在线出版日期：2016-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：202-207