α-四噻吩薄膜的生长及性能研究

摘要：

利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）研究了在氧化硅衬底上生长的α-四噻吩（α-4T）薄膜的表面形貌及分子取向。在低温下,获得了大尺寸、高有序的α-4T薄膜,为横向生长模式。衬底温度35℃以上转为纵向生长模式。晶体结构分析发现,α-4T薄膜属于单斜晶系,分子c-轴垂直基板排列。强的衍射峰和高有序的衍射峰意味着α-4T薄膜具有高的有序性和结晶性。电性能研究发现,提高衬底温度有利于提高薄膜的迁移率,衬底温度为35℃时器件迁移率为3.53×10-2 cm2·V-1·s-1。但衬底温度进一步增加,迁移率反而下降,与原子力分析结果一致。低温退火可以降低器件的亚阈值陡度,从13.27 V·dec-1降低到3.83 V· dec-1,使器件的界面缺陷降低,电性能提高。

关键词：α-四噻吩、薄膜生长、分子取向、电性能

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金21403016;吉林省科技发展计划20130102065JC,20140203018GX

在线出版日期：2015-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1445-1451