负电荷层对a-IGZO TFT阈值电压的影响

摘要：

采用脉冲直流磁控溅射的方式沉积In-Ga-Zn-O ( IGZO)膜层作为TFT的有源层. 在TFT沟道处的有源层和绝缘层的界面上,通过溅射法制作一定厚度的负电荷层对阈值电压( Vth )进行调制,使得Vth由-3. 8 V升高至-0. 3 V,器件由耗尽型向增强型转变. 通过增加Al2 O3 作为负电荷层,可有效地将Vth控制在0 V附近,并且提高其器件稳定性,得到较好的电学特性:电流开关比Ion/Iof >109 ,亚阈值摆幅SS为0. 2 V/dec,阈值电压Vth为-0. 3 V,迁移率μ为9. 2 cm2/(V·s).

关键词：a-IGZO薄膜晶体管、磁控溅射法、负电荷层、平带电势、阈值电压

所属期刊栏目：36

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61076066;陕西省科技统筹创新工程计划2011KTCQ01-09;陕西科技大学学术带头人专项2013XSD14

在线出版日期：2015-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1320-1324