PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性

摘要：

利用脉冲激光沉积( PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜. 靶材是由SnS和Cu2 S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%﹑2. 5%﹑5%﹑7. 5%和10%). 利用X射线衍射(XRD)﹑拉曼光谱仪(Ra-man)﹑原子力显微镜( AFM)﹑紫外-可见-近红外分光光度计( UV-Vis-NIR)﹑Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构﹑表面形貌﹑光学性质和电学性能的影响. 结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,SnS:5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰. 随着Cu掺杂量的增大,平均颗粒尺寸逐渐增大. 不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105 cm-1数量级. SnS:5%Cu薄膜的禁带宽度Eg 为2. 23 eV,光暗电导率比值为2. 59. 同时,在玻璃衬底上制备了p-SnS:Cu/n-ZnS异质结器件,器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性,并具有较弱的光伏特性.

关键词：SnS薄膜、脉冲激光沉积、Cu掺杂、异质结器件

所属期刊栏目：36

分类号：TN304;O484(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51272061

在线出版日期：2015-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1311-1319