InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能

摘要：

采用分子束外延( MBE)方法,调节生长温度﹑Ⅴ/Ⅲ束流比等参数在( 001 ) GaAs衬底上生长了InAs/GaInSb超晶格薄膜. 结果表明:InAs/GaInSb超晶格薄膜的最佳生长温度在385~395 ℃,Ⅴ/Ⅲ束流比为5. 7:1~8. 7:1. 高能电子衍射仪(RHEED)原位观测到清晰的GaAs层(4 × 2)﹑GaSb层(1 × 3)和InAs层(1 × 2)再构衍射条纹. 获得的超晶格薄膜结构质量较好. 随着温度的升高,材料的载流子浓度和迁移率均上升.

关键词：InAs/GaInSb、超晶格薄膜、分子束外延

所属期刊栏目：36

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2015-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1252-1257