AlGaInP-LED发光阵列热场分析及散热设计

摘要：

建立了5×5 AlGaInP材料LED微阵列的有限元热分析模型，根据计算对模型进行了简化。结果表明，简化模型与原始模型的温度分布规律基本一致，计算得到的两种模型在工作1.5 s时的温度相对误差为0.8%。使用简化模型模拟了含104个单元、尺寸为10 mm ×10 mm ×100μm的芯片的温度场分布，工作1.5 s时的芯片中心温度已达到360.6℃。为解决其散热问题，设计了两种散热器，并对其结构进行了优化，分析了翅片数量、翅片尺寸、粘结材料对芯片温度的影响。

关键词：光学器件、热学特性、有限元分析、LED微阵列、散热器

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61274122;吉林省科技发展计划20100351,20120323;长春市科技发展计划2013269

在线出版日期：2015-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1212-1219