GaN HEMT器件结构的研究进展

摘要：

GaN高电子迁移率晶体管( HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率，这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法；然后，着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度，阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展；最后，讨论了器件进一步发展的方向。

关键词：高电子迁移率晶体管、氮化镓、高频、结构设计

分类号：TN386.3(半导体技术)

资助基金：北京市15青年拔尖项目311000543115501;中山市科技计划2014A2FC305;国家自然科学基金61204011;科研基地建设PXM2015014204500008

在线出版日期：2015-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1178-1187