背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器的i-GaN和p-GaN厚度设计

摘要：

研究了i-GaN和p-GaN厚度对背照射和正照射p-i-n结构GaN紫外探测器响应光谱的影响。模拟计算发现：对于背照射结构,适当地减小i-GaN厚度有利于提高探测器的响应,降低i-GaN层的本底载流子浓度也有利于提高探测器的响应；p-GaN的欧姆接触特性好坏对探测器的响应影响不大,适当地增加p-GaN厚度可以改善探测器性能。而正照射结构则不同,i-GaN厚度对探测器的响应度影响不大,但欧姆接触特性差将严重降低探测器的响应,适当地减小p-GaN厚度可以大幅度改善探测器的响应特性。能带结构和入射光吸收的差别导致了正照射和背照射探测器结构中i层和p层厚度的选择和设计不同。

关键词：GaN、p-i-n结构、紫外探测器、量子效率

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61474142,11474355,21403297,21024046;北京市英才计划31056201

在线出版日期：2015-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1034-1040