GaAs基高功率半导体激光器单管耦合研究
设计了一种高亮度、高功率半导体激光器单管耦合输出模块,采用波长为975 nm的10 W的GaAs基半导体激光器,将半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.18、纤芯直径105μm的光纤中,获得10 A电流下的输出功率为9.37 W,耦合效率为94.3%,亮度为1.64 MW/(cm2·str)。
半导体激光器、光纤耦合、亮度
TN248.4(光电子技术、激光技术)
2015-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1018-1021