Al2 O3薄层修饰SiNx绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究

摘要：

采用原子层沉积工艺( ALD)生长均匀致密的三氧化二铝( Al2 O3)薄层对氮化硅( SiNx )绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管( IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2 O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。

关键词：铟镓锌氧薄膜晶体管、三氧化二铝、氮化硅、最大缺陷态密度

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61275033

在线出版日期：2015-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：947-952