旋涂速度对制备P3 HT有机场效应晶体管性能的影响

摘要：

采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明，当 P3HT和 PMMA的旋涂速度均为2000 r/min时，器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84×10-2 cm2·V-1·s-1。结果表明，选择适当的旋涂速度是一种有效提高溶液化制备有机场效应晶体管性能的方法。

关键词：有机场效应晶体管、旋涂速度、P3HT、PMMA

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61076065,11204214

在线出版日期：2015-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：941-946