使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究

摘要：

为了实现氧化物薄膜晶体管( TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器件。结果表明：所制备的Cu膜呈多晶结构；引入a-IZO粘附层增强了Cu膜与衬底的粘附性；同时,Cu在a-IZO中的扩散得到了抑制。所制备的TFT的迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压分别为12.9 cm2/(V·s)、0.28 V/dec和-0.6 V。

关键词：薄膜晶体管、氧化铟锌、铜布线

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：广东省引进创新科研团队计划201101C0105067115;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题M201406;国家自然科学基金重点项目61036007;国家自然科学基金面上项目51173049;国家自然科学基金青年基金61401156;中央高校基本科研业务费2014ZZ0028;广州市科技计划2013Y2-00114

在线出版日期：2015-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：935-941