GaNAs基超晶格太阳电池的分子束外延生长与器件特性

摘要：

采用分子束外延( MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 eV吸收带边的GaN0.03 As0.97/In0.09 Ga0.91 As应变补偿短周期超晶格( SPSL)。高分辨率X射线衍射( HRXRD)测量结果显示，当周期厚度从6 nm增加到20 nm时，超晶格的结晶质量明显改善。然而，当周期厚度继续增加时，超晶格品质劣化。对超晶格周期良好的样品通过退火优化，获得了具有低温光致发光现象的高含N量GaNAs/InGaAs超晶格，吸收带边位于1 eV附近。使用10个周期的GaNAs/InGaAs超晶格(10 nm/10 nm)和GaAs组成的p-i-n太阳电池的短路电流达到10.23 mA/cm2。经聚光测试获得的饱和电流密度、二极管理想因子与由电池暗态电流-电压曲线得到的结果一致。

关键词：GaNAs、超晶格、太阳电池、分子束外延生长

分类号：TM914.4

资助基金：国家自然科学基金61274134;上海空间电源研究所项目Y1EAQ31001

在线出版日期：2015-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：923-929