Sr-F共掺杂的SnO2基透明导电薄膜

摘要：

利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2( SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380~2500 nm波段的平均透过率大于85%,功函数约为5.10 eV。 SFTO透明导电薄膜为非晶态薄膜,具有较好的表面平整度( Rq <1.5 nm)。与工业上F掺杂SnO2薄膜的衬底温度(>450℃)相比,本文所用的衬底温度仅为300℃,有望直接将SnO2基透明导电非晶薄膜制备到柔性的塑料( PI、PAR或PCO)衬底上以获得性能良好的柔性电极。

关键词：透明导电薄膜、无铟、SnO2、半导体掺杂

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51102228,61106057;吉林省科技发展计划20140520119J

在线出版日期：2015-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：829-833