单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制

摘要：

制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件，借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制，发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流( SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大，完善了电子传输的导电细丝通道，器件实现了由高阻态向低阻态的转变；在反向电压作用下，导电通道断裂，器件恢复到高阻态。

关键词：ZnO纳米棒、荧光光谱、氧空位、导电细丝通道

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：863国家高技术研究发展计划2013AA014201;天津市自然科学基金14JCZDJC31200,15JCYBJC16800,15JCYBJC16700;国家重大仪器设备开发专项2014YQ120351;天津市科技计划国际合作项目14RCGHGX00872

在线出版日期：2015-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：795-800