高效率GaN基高压LED芯片的制备及COB封装

摘要：

为提升GaN基高压LED芯片的出光性能,优化了芯片发光单元之间隔离沟槽的宽度.当隔离沟槽宽度为20μm时,芯片的电学性能和光学性能最优.当注入电流为20 mA时,正向电压为50.72 V,输出光功率为373.64 mW,电光转换效率为36.83％.采用镜面铝基板和陶瓷基板进行了4颗芯片串联形式的COB封装.镜面铝基板的热导率和反射率均高于陶瓷基板,可提升HV-LED器件在大注入电流和高温时的发光性能.当注入电流为20 mA且基板温度为20℃时,镜面铝基板封装的HV-LED器件的正向电压是198.9 V,发光效率达122.2 lm/W.

关键词：高压LED、芯片制备、封装基板、发光效率

所属期刊栏目：36

分类号：TN383+.1;TN304(半导体技术)

资助基金：863国家高技术研究发展计划2014AA032609;广东省战略性新兴产业发展专项资金2011A081301004,2012A080302003,2012A080304015

在线出版日期：2015-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：692-698