基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能

摘要：

为解决GaN基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs.与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 mA输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0％,并有更好的电流响应效率.同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7％和67.5％,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解.

关键词：GaN、垂直结构LEDs、混合型量子阱、效率下降

所属期刊栏目：36

分类号：TN383+.1;TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2014AA032609;国家自然科学基金61404050;广东省战略性新兴产业专项资金2012A080302003;中央高校基本科研业务费2014ZM0036

在线出版日期：2015-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：639-644