基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能
为解决GaN基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs.与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 mA输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0%,并有更好的电流响应效率.同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7%和67.5%,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解.
GaN、垂直结构LEDs、混合型量子阱、效率下降
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TN383+.1;TN312+.8(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2014AA032609;国家自然科学基金61404050;广东省战略性新兴产业专项资金2012A080302003;中央高校基本科研业务费2014ZM0036
2015-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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