楔形瓣状结构对正向注入型Si-LED发光特性的影响

摘要：

基于标准CMOS工艺的p+源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管(Si-LED),采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计制备.测试结果表明,正向注入型p+/n-well二极管的发射波长位于近红外波段,峰值波长在l 130 nm附近,且工作电压小于2V,与标准CMOS电路兼容.其中,八瓣结构的Si-LED (TS2)在200 mA时的发光功率可达1 200 nW,且未出现饱和,而注入电流为40 mA时的最大功率转换效率达5.8×10-6,约为四瓣结构器件(TSl)的2倍.所研制的Si-LED具有工作电压低、转换效率高等优点,有望在光互连领域得到应用.

关键词：硅基发光二极管、正向注入、楔形结构、标准CMOS工艺

所属期刊栏目：36

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61036002,61474081

在线出版日期：2015-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：552-556