p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理

摘要：

研究了p-lnGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响.模拟计算发现,随着p-InGaN层厚度的增加,InGaN太阳电池效率降低.较差的p-InGaN欧姆接触特性会破坏InGaN太阳电池性能.计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-InGaN层厚度的增加,短路电流下降是导致InGaN电池效率降低的主要原因.选择较薄的p-InGaN层有利于提高p-i-n结构InGaN太阳电池的效率.

关键词：InGaN、太阳电池、p-i-n结构

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61474142,11474355,21403297

在线出版日期：2015-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：534-538