温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究.ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜.最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量.

关键词：ZnO、MOCVD、成核、薄膜

所属期刊栏目：36

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：“973”国家重点基础研究发展计划2011CB302005;国家自然科学基金61106003,61223005;长春市科技局国际科技合作计划12ZX68

在线出版日期：2015-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：408-412