TiO2薄膜的硼掺杂对TiO2/p+-Si异质结器件电致发光的增强

摘要：

利用磁控溅射在重掺硼硅(p+-Si)衬底上分别沉积TiO2薄膜和掺硼的TiO2(TiO2∶B)薄膜,并经过氧气氛下600℃热处理,由此形成相应的TiO2/p+-Si和TiO2∶B/p+-Si异质结.与TiO2/p+-Si异质结器件相比,TiO2∶ B/p+-Si异质结器件的电致发光有明显的增强.分析认为:TiO2∶B薄膜经过热处理后,B原子进入TiO2晶格的间隙位,引入了额外的氧空位,而氧空位是TiO2/p+-Si异质结器件电致发光的发光中心,所以上述由B掺杂引起的氧空位浓度的增加是TiO2∶B/p+-Si异质结器件电致发光增强的原因.

关键词：TiO2薄膜、硼掺杂、异质结、电致发光

所属期刊栏目：36

分类号：O482.31;TN304(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51372219,61176042;“973”国家重点基础研究发展计划2013CB632100;教育部创新团队计划IRT13R54

在线出版日期：2015-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：389-394