Tm3+掺杂SrAl2 O4：Eu2+的光激励和热释光性能

摘要：

通过高温固相法制备出Sr0.98-xAl2O4∶0.02Eu2+,xTm3+(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)系列样品,并对其光激励和热释光性能进行了研究。在SrAl2 O4∶Eu2+原有陷阱能级结构的基础上,通过Tm3+的掺杂引入了更深的陷阱TB ,并增加原有陷阱TA 浓度,进而优化了材料的光存储容量及光激励特性。对比研究了系列样品的初始光激励发光强度和热释光强度随着Tm3+掺杂量的变化规律,证实陷阱TB 为光激励发光提供了有效俘获中心。当Tm3+的掺杂摩尔分数x=0.03时,材料中的陷阱TB 的浓度达到最高值,同时光激励发光强度最大。对比Tm3+共掺前后热释光图谱,通过Chen爷s半宽法计算出了引入陷阱TB 的陷阱深度。实验结果证实材料中TB 的浓度对其光激励发光性能起着决定性的作用。在980 nm激发下,由深陷阱TB 释放出来的电子可以再次被浅陷阱TA 俘获,这种浅陷阱TA 的再俘获效应在光激励发光过程中表现为光激励余辉现象。

关键词：载流子、光激励、热释光、陷阱

分类号：O482.31;O433.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11204113;高等学校博士学科点专项科研基金20115314120001

在线出版日期：2015-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：299-304