掺杂的Bi4 Ge3 O12晶体的近红外发光性能
生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4 Ge3 O12( BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等。这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管( LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子。掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大。
Bi4 Ge3 O12、光致发光、近红外
O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金61078053;江苏省自然科学基金BK20141263
2015-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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