GaN纳米柱发光特性
用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到GaN纳米柱，采用扫描电子显微镜( SEM )观测其形貌，室温下光致发光( PL)谱测量研究样品发光特性。结果表明，室温下GaN 纳米柱的发光强度是体材料的2.6倍。为了修复刻蚀损伤，用KOH对样品进行湿法处理，发现经KOH处理的纳米柱与处理前相比变得更直，且其发光较处理之前进一步增强。为了研究其原因，分别对KOH处理前后的样品进行变温PL谱的测量，发现湿法处理后发光增强是由于内量子效率的提高引起的。
GaN纳米柱、KOH腐蚀、光致发光、内量子效率
O472+.3;O482.31(半导体物理学)
国家重点基础研究发展规划2011CB301900,2012CB619304;国家高技术研究发展规划2014AA032605;国家自然科学基金60990311,61274003,61176063;江苏省自然科学基金BK2011010,BY2013077,BE2011132;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-11-0229
2015-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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