双有源层结构掺硅氧化锌薄膜晶体管的电特性

摘要：

为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的关态电流(Ioff),提高开关电流比(Ion/Ioff),采用磁控溅射法制备掺硅氧化锌薄膜晶体管(SZO-TFT)和SZO/ZnO双层有源层结构的TFT器件,研究了Si含量对SZO薄膜透光性和SZO-TFT电性能的影响,比较了单层与双层有源层结构TFT器件的电特性.与ZnO-TFT相比,SZO-TFT的Ioff低2个数量级,最低达1.5 ×1012 A;Ion/Io.高两个数量级,最高达7.97×106.而SZO/ZnO双有源层结构的TFT器件可在不降低载流子迁移率的情况下,Ion/Ioff比ZnO-TFT提高近两个数量级,有效改善了器件的整体性能.

关键词：薄膜晶体管、氧化锌、硅掺杂、双层有源层

所属期刊栏目：36

分类号：TN321+.5;O472+.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61076113

在线出版日期：2015-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：213-218