基于Sb2O3/Ag/Sb2O3叠层透明导电薄膜的自组装沟道透明薄膜晶体管
首次利用Sb2 O3/Ag/Sb2 O3( SAS)叠层透明导电薄膜作为透明电极,并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺,在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能,其迁移率高达11.36 cm2/( V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明,这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。
透明导电薄膜、Sb2 O3/Ag/Sb2 O3 叠层、自组装沟道、透明薄膜晶体管
TN321;O484.4(半导体技术)
基金项目:国家自然科学基金61106057
2014-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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