非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响

摘要：

采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品，样品光致发光谱的荧光峰位于2.0 eV附近，半峰宽约为0.40 eV。激发波长从240 nm增大到440 nm的过程中，荧光峰先红移再蓝移，最后基本稳定，变化曲线呈勺型。通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果，发现荧光峰逆转所对应的激发波长位于330 nm附近，相应的激发光子能量约为3.8 eV。样品光致发光谱随激发波长的勺型变化过程与≡Si—O↑和≡Si—O↑…H—O—Si≡两类非桥氧空穴发光中心共同作用时的发光行为一致。

关键词：多孔硅、铁钝化、光致发光、非桥氧空穴、水热腐蚀

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：基金项目:福建省教育厅A类项目JA14196;闽南师范大学科研基金SK08013

在线出版日期：2014-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1427-1431