Mg含量对Mgx Zn1-x O：Ga薄膜电学性质的影响

摘要：

通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在ZnO晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂Mgx Zn1-x O薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO：Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 meV,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。

关键词：MgZnO、Ga掺杂、能级深度、电阻

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：基金项目:国家自然科学基金11134009,21100146,61376054;国家“973计划冶2011CB302006

在线出版日期：2014-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1405-1409