基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器

摘要：

在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29 Zn0.71 O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相Mg-ZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。

关键词：立方MgZnO、深紫外探测器、光导增益

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CB302006,2011CB302002;国家自然科学基金11134009,61376054,11174273,11104265,61177040

在线出版日期：2014-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1291-1296