多晶Lu2SiO5：Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性

摘要：

采用 X 射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶 Lu2 SiO5∶ Ce(LSO∶ Ce)发光粉体中 Ce 元素的化合价状态进行了表征,结果表明：在空气下煅烧后得到的不同 Ce 掺杂浓度的 LSO∶ Ce 粉体中,Ce3+在总掺杂 Ce 中的含量仅为18%~39%；而经1000℃/2 h 的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5% Ce 粉体中 Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明：当 Ce 的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时, Ce3+的摩尔分数与 LSO∶ Ce 粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使 LSO∶ Ce 粉体的发光强度提高近40%。 LSO∶ Ce 粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。

关键词：LSO∶Ce、化合价、X-射线吸收近边结构、VUV光谱

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51172139

在线出版日期：2014-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1027-1033