基于腔面非注入区的半导体激光器的热特性分析
利用Ansys有限元分析软件模拟了宽条形激光器腔面在不同生热率条件下对有源区温度的影响,并对带有腔面非注入区的激光器结构进行了热分析,比较了不同长度的非注入区结构的器件的温度特性.腔面的温升对器件可靠性影响极大,计算结果表明随着非注入区宽度的增加,芯片前腔面有源区的温度明显降低.结果为采用非注入区结构提高COD阈值功率提供了设计参考.
半导体激光器、Ansys、非注入区、COD
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金61176048,61177019,61308051;吉林省科技发展计划20120361,20130206016GX
2014-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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969-973
